Раздел FET содержит полевые транзисторы в следующем составе.
Полевые транзисторы с управляющим р—га-переходом (тип).
Полевые МОП-транзисторы с изолированным затвором п-канальные с обогащенной подложкой ир-канальные с обедненной подложкой, с раздельными или соединенными выводами подложки и истока (тип).
Полевые МОП-транзисторы с изолированным затвором ге-канальные с обогащенным затвором и р-канальные с обедненным затвором, с раздельными или соединенными выводами подложки и истока (тип).
